| 磁控溅射法制备V掺杂Cu_3N薄膜研究 |
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| 引用本文： | 黄赛佳,侯雨轩,侍宇雨,王志姣,杨柳青,杨建波,李兴鳌.磁控溅射法制备V掺杂Cu_3N薄膜研究[J].功能材料,2015(4):4057-4060,4065. |
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| 作者姓名： | 黄赛佳 侯雨轩 侍宇雨 王志姣 杨柳青 杨建波 李兴鳌 |
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| 作者单位： | 南京邮电大学 材料科学与工程学院,南京,210046 |
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| 基金项目： | 国家自科科学基金资助项目，大学生创新训练计划资助项目 |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射法成功制备了V掺杂Cu3N薄膜。XRD显示随着V掺入浓度的升高,薄膜的择优生长取向由(111)面向(100)面转变。SEM结果表明向Cu3N薄膜中掺入V,薄膜的晶体颗粒形态发生了变化。从对薄膜样品进行的光反射率、电阻率和显微硬度测试结果可以看出,薄膜中掺入适当浓度V对其光吸收、导电性和力学性能有一定程度的改善。
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| 关 键 词： | Cu3N V掺杂 磁控溅射 反射率 电阻率 |
Study of V-doped Cu3 N films prepared by reactive magnetron sputtering |
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| HUANG Sai-jia,HOU Yu-xuan,SHI Yu-yu,WANG Zhi-jiao,YANG Liu-qing,YANG Jian-bo,LI Xing-ao.Study of V-doped Cu3 N films prepared by reactive magnetron sputtering[J].Journal of Functional Materials,2015(4):4057-4060,4065. |
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| Authors: | HUANG Sai-jia HOU Yu-xuan SHI Yu-yu WANG Zhi-jiao YANG Liu-qing YANG Jian-bo LI Xing-ao |
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| Affiliation: | HUANG Sai-jia;HOU Yu-xuan;SHI Yu-yu;WANG Zhi-jiao;YANG Liu-qing;YANG Jian-bo;LI Xing-ao;School of Materials Science and Engineering,Nanjing University of Posts and Telecommunications; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | copper nitride V doped magnetron sputtering reflectance resistivity |
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