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旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析
引用本文:赵明磊  王增梅  袁多荣,王矜奉  王春雷  王渊旭  王晓颖.旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析[J].功能材料,2004,35(Z1):1436-1438.
作者姓名:赵明磊  王增梅  袁多荣  王矜奉  王春雷  王渊旭  王晓颖
作者单位:赵明磊(山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100);王增梅(山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100);袁多荣(山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100);王矜奉(山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100);王春雷(山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100);王渊旭(山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100);王晓颖(山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100)
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50372034);山东省自然科学基金资助项目(Z2003F04)
摘    要:通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiOi4晶体较为准确的压电参数.其中La3Ga5SiOi4晶体的d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.(yx1)-30°切La3Ga5SiO14晶片具有较大的机电耦合系数k26≈13%和较大的机械品质因数Qm≈10000.

关 键 词:LGS晶体  旋转Y切  压电常数
文章编号:1001-9731(2004)增刊-1436-03
修稿时间:2004年4月22日

Determination of piezoelectric constants of La3Ga5SiO14 crystal by rotated Y-cut
ZHAO Ming-lei.Determination of piezoelectric constants of La3Ga5SiO14 crystal by rotated Y-cut[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):1436-1438.
Authors:ZHAO Ming-lei
Abstract:
Keywords:
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