纳米硅基薄膜光致发光机制的初步研究

用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下能发出可见光。实验表明，高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在ＳｉＯ２的无序网络中，其晶粒尺寸减少，而发光强度增强，发光峰位置向短波方向移动。这些结果说明，发光来源于纳米晶粒的量子尺寸效应和覆盖晶粒表面的ＳｉＯ２层的发光中心。