| 有机薄膜晶体管钛/金电极的刻蚀工艺研究 |
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| 引用本文： | 严剑飞,吴志明,太惠玲,李娴,付嵩琦.有机薄膜晶体管钛/金电极的刻蚀工艺研究[J].功能材料,2010,41(Z2). |
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| 作者姓名： | 严剑飞 吴志明 太惠玲 李娴 付嵩琦 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054 |
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| 基金项目： | 总装预研基金资助项目，中央高校基本科研业务费专项资助项目 |
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| 摘 要： | 采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和湿法刻蚀的方法,分别刻蚀有机薄膜晶体管(OTFT)的钛/金薄膜电极。改变刻蚀的工艺条件,研究了不同的刻蚀工艺对OTFT器件性能的影响,并对刻蚀结果进行了比较与分析。结果表明,ICP干法刻蚀不适合用来刻蚀OTFT器件的钛/金电极,而湿法刻蚀工艺可用于刻蚀关键尺寸为5μm及其以上的钛/金电极,其最佳工艺条件分别是n(HF):n(HNO3):n(H2O)=1:1:5和n(KI):n(I2):n(H2O)=4:1:40。
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| 关 键 词： | 刻蚀 有机薄膜晶体管 钛/金 最佳工艺条件 |
Investigation of the etching process of titanium/aurum electrodes of the organic thin film transistor |
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| YAN Jian-fei,WU Zhi-ming,TAI Hui-ling,LI Xian,FU Song-qi.Investigation of the etching process of titanium/aurum electrodes of the organic thin film transistor[J].Journal of Functional Materials,2010,41(Z2). |
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| Authors: | YAN Jian-fei WU Zhi-ming TAI Hui-ling LI Xian FU Song-qi |
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