| 磁控溅射TiN薄膜的工艺及电学性能研究 |
| |
| 引用本文： | 胡敏,刘莹,赖珍荃,刘倩,朱秀榕.磁控溅射TiN薄膜的工艺及电学性能研究[J].功能材料,2009,40(2). |
| |
| 作者姓名： | 胡敏 刘莹 赖珍荃 刘倩 朱秀榕 |
| |
| 作者单位： | 胡敏,刘莹,刘倩,HU Min,LIU Ying,LIU Qian(南昌大学,机电工程学院,江西,南昌,330031);赖珍荃,朱秀榕,LAI Zheng-quan,ZHU Xiu-rong(南昌大学,物理系,江西,南昌,330031)
|
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 |
| |
| 摘 要： | 采用反应直流磁控溅射法,在Si基底上制备TiN薄膜.研究了溅射沉积过程中溅射气压和Ar/N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响,并对试验结果进行了分析.研究发现,在Ar/N2气体流量比为15:1时,TiN薄膜的表面均方根粗糙度和电阻率都为最小.当溅射气压增大时,薄膜厚度减小.当溅射气压为0.3～0.5Pa时,薄膜表面较光滑,电阻率较小.
|
| 关 键 词： | TiN薄膜 磁控溅射 氩气/氮气流量比 溅射气压 电学性能 |
Technological parameters and electrical property of TiN thin films grown processing by magnetron sputtering |
| |
| HU Min,LIU Ying,LAI Zheng-quan,LIU Qian,ZHU Xiu-rong.Technological parameters and electrical property of TiN thin films grown processing by magnetron sputtering[J].Journal of Functional Materials,2009,40(2). |
| |
| Authors: | HU Min LIU Ying LAI Zheng-quan LIU Qian ZHU Xiu-rong |
| |
| Affiliation: | 1.School of Mechanical and Electrical Engineering;Nanchang University;Nanchang 330031;China;2.Department of Physics;China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | TiN thin films magnetron sputtering Ar/N2 flow rate deposition pressure electrical property |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
