| 用气液固相互反应方法生长线状硅晶研究 |
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| 引用本文： | 陆阳,施毅.用气液固相互反应方法生长线状硅晶研究[J].功能材料,1999,30(1):31-32. |
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| 作者姓名： | 陆阳 施毅 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系!江苏南京，210093，南京大学物理系!江苏南京，210093，南京大学物理系!江苏南京，210093，南京大学物理系!江苏南京，210093，南京大学物理系!江苏南京，210093，南京大学物理系!江苏南京，210093，南京大学物理系!江苏南京，210093 |
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| 摘 要： | 以ＳｉＨ４为生长气源，利用ＶＬＳ（气相－液相－固相）互反应生长机制，在ＲＴ－ＣＶＤ生长设备上通过向（１１１）硅衬底表面引入Ａｕ，生长出长达数个微米而直径小于１μｍ的垂直于衬底表面的线状晶体。对生长出的线状晶体作了扫描电镜观察，并分析讨论了生长的异常现象。
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| 关 键 词： | VLS生长机制 金硅合金 线状硅晶 真空微电子技术 |
Research on Silicon Crystal Wires Growth by Vapor-Liquid-Solid Reaction Method |
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| LU Yang, SHI Yi, LIU Jianlin, WANG Feng, GU Shulin, ZHU Shunmin, ZHENG Youdou.Research on Silicon Crystal Wires Growth by Vapor-Liquid-Solid Reaction Method[J].Journal of Functional Materials,1999,30(1):31-32. |
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| Authors: | LU Yang SHI Yi LIU Jianlin WANG Feng GU Shulin ZHU Shunmin ZHENG Youdou |
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| Keywords: | VLS mechanism Au-Si eutectic crystal wires |
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