| a-Si:H薄膜结构对多晶硅薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 余楚迎,林璇英,姚若河,吴萍,林揆训.a-Si:H薄膜结构对多晶硅薄膜性能的影响[J].功能材料,2000,31(2):157-158,161. |
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| 作者姓名： | 余楚迎 林璇英 姚若河 吴萍 林揆训 |
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| 作者单位： | 汕头大学物理系,广东 汕头,515063 |
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| 摘 要： | 用a一Si:H薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜,其晶化温度、晶粒尺寸和电性能与薄膜的初始结构有密切关系,而a-Si:H薄膜的初始结构依赖于沉积条件.用PCVD方法高速沉积的a-Si:H薄膜,经550℃的低温退火,可以制备平均晶粒尺寸为几百nn,最大晶粒尺寸为2μ,电导率为1.62(Ω·on)-1的优质多晶硅薄膜.
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| 关 键 词： | 多晶硅薄膜 衬底温度 掺杂比 晶化温度 晶粒尺寸 |
| 文章编号： | 1001－9731(2000)02－0157－02 |
| 修稿时间： | 1998－01－06 |
Influence of the a - Si: H Films in Structure on the Properties of Polycrystalline Silicon Films |
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| YU Chuying,LIN Xuanying,YAS Ruohe,WU Ping,LIN Kuixun.Influence of the a - Si: H Films in Structure on the Properties of Polycrystalline Silicon Films[J].Journal of Functional Materials,2000,31(2):157-158,161. |
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| Authors: | YU Chuying LIN Xuanying YAS Ruohe WU Ping LIN Kuixun |
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| Affiliation: | YU Chuying ,LIN Xuanying ,YAS
Ruohe ,WU Ping ,LIN Kuixun
(OeParlment of PhYsics, Shantou University, Shantou, 515063, China) |
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| Abstract: | |
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