| Mg2Si半导体薄膜的热蒸发制备 |
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| 引用本文： | 余宏,谢泉,肖清泉,陈茜.Mg2Si半导体薄膜的热蒸发制备[J].功能材料,2013,44(8):1204-1207. |
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| 作者姓名： | 余宏 谢泉 肖清泉 陈茜 |
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| 作者单位： | 贵州大学理学院,新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，贵州省科技攻关资助项目，贵州省科技创新人才团队建设专项资金资助项目，贵州省国际科技合作资助项目，贵州省科学技术基金资助项目，贵州省青年英才培养工程资助项目(黔省专合字，贵州省教育厅"125"重大科技专项资助项目，贵州大学引进人才科研资助项目(贵大人基合字 |
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| 摘 要： | 采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性。最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si(220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强。在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强。
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| 关 键 词： | Mg2Si薄膜 热蒸发 退火时间 择优生长 |
Thermal evaporation method of semiconducting Mg2Si films |
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| YU Hong,XIE Quan,XIAO Qing-quan,CHEN Qian.Thermal evaporation method of semiconducting Mg2Si films[J].Journal of Functional Materials,2013,44(8):1204-1207. |
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| Authors: | YU Hong XIE Quan XIAO Qing-quan CHEN Qian |
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| Affiliation: | (Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology,College of Science, Guizhou University,Guiyang 550025,China) |
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