| 稀磁半导体研究的最新进展 |
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| 引用本文： | 李东,王耘波,于军,王宝义,魏龙.稀磁半导体研究的最新进展[J].功能材料,2004,35(Z1):1110-1115. |
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| 作者姓名： | 李东 王耘波 于军 王宝义 魏龙 |
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| 作者单位： | 李东（华中科技大学,电子系,湖北,武汉,430074）;王耘波（华中科技大学,电子系,湖北,武汉,430074）;于军（华中科技大学,电子系,湖北,武汉,430074）;王宝义（中国科学院高能物理所,核分析技术重点实验室,北京,100039）;魏龙（中国科学院高能物理所,核分析技术重点实验室,北京,100039） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60171012);中科院核分析技术国家开发实验室基金项目(K-96) |
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| 摘 要： | 本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结,介绍了稀磁半导体特殊性质和机理,概述了目前DMS材料的制备方法,并对于DMS的应用前景和将来的研究方向进行了展望.
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 居里温度 自旋-自旋交换 分子束外延法 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1110-06 |
| 修稿时间： | 2004年4月18日 |
Recent development on diluted magnetic semiconductors |
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