| GaAs(001)表面预粗糙化过程中的临界减慢 |
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| 引用本文： | 罗子江,周勋,王继红,郭祥,丁召.GaAs(001)表面预粗糙化过程中的临界减慢[J].功能材料,2014(11). |
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| 作者姓名： | 罗子江 周勋 王继红 郭祥 丁召 |
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| 作者单位： | 贵州财经大学教育管理学院;贵州大学电子信息学院;贵州师范大学物理与电子科学学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60866001);教育部博士点基金资助项目(20105201110003);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2095号,黔科合J字[2013]2114号,黔科合J字[2013]2092号);2013年度贵州财经大学引进人才科研资助项目(2013YJ009) |
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| 摘 要： | 通过对于GaAs表面形貌在特定As BEP(1.33μPa)、不同温度(570,560,550,540和530℃)下相变过程研究,发现随着温度的降低GaAs预粗糙化过程发生了不同程度的迟滞,在温度降至530℃附近时,延迟现象尤其明显,并且当温度远低于530℃时(As BEP 1.33μPa)GaAs表面将不会发生预粗糙转变。采用二维艾辛模型建立方程结合实验数据对这一现象进行理论解释,理论计算出GaAs预粗糙化相变的临界转变温度为529℃,与实验中获得的数据吻合。采用理论上获得的临界转变温度,利用临界减慢理论对实验现象进行了合理的理论解释,认为在特定条件下GaAs表面系统存在预粗糙化临界转变温度,当衬底温度接近这一温度时,临界减慢现象将会发生;当温度低于临界转变温度时,无论延长多少时间表面形貌相变过程将不会发生。
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| 关 键 词： | 临界减慢 GaAs薄膜 预粗糙化 临界温度 |
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