| β-Ga_2O_3掺Al的电子结构与能带特性研究 |
| |
| 引用本文： | 郑树文,范广涵,皮辉.β-Ga_2O_3掺Al的电子结构与能带特性研究[J].功能材料,2014(12). |
| |
| 作者姓名： | 郑树文 范广涵 皮辉 |
| |
| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所;微纳光子功能材料与器件重点实验室; |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61176043);广东省战略性新兴产业专项资金资助项目(2012A080304016);华南师范大学青年教师培育基金资助项目(2012KJ018) |
| |
| 摘 要： | 采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3(x=0,0.5,1,1.5,2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定,其弯曲系数分别为0.452eV(直接)和0.373eV(间接)。当增大Al的掺杂量,AlxGa2-xO3的体积变小,总能量升高,能隙逐渐增大,这与实验结果相一致。
|
| 关 键 词： | 第一性原理 β-GaO Al掺杂 电子结构 能带特性 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
