从二氰二胺的DMF溶液中电化学沉积氮化碳薄膜 |
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引用本文: | 李超,曹传宝,吕强,张家涛,项顼,朱鹤孙.从二氰二胺的DMF溶液中电化学沉积氮化碳薄膜[J].功能材料,2003,34(4):400-402. |
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作者姓名: | 李超 曹传宝 吕强 张家涛 项顼 朱鹤孙 |
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作者单位: | 1. 北京理工大学,材料科学研究中心,北京,100081;郑州轻工业学院,化学工程系,河南,郑州,450002 2. 北京理工大学,材料科学研究中心,北京,100081 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(20171007),教育部博士点基金资助项目(B 123) |
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摘 要: | 首次采用二氰二胺的N,N二甲基甲酰胺(DMF)溶液做沉积液,用Si(100)和ITO导电玻璃做基底,在阴极上电化学沉积了CNx薄膜。X射线衍射(XRD)花样说明沉积的CNx薄膜为非晶结构。X射线光电子能谱(XPS)、傅立叶转换红外光谱(FTIR)分析结果表明CNx样品薄膜的N/C比为0.7左右,碳和氮主要以C—N、C=N的形式成键,有少量的碳和氮以C≡N的形式成键。电阻率测试显示,样品具有较高的电阻率,Si(100)和ITO导电玻璃基底上氮化碳薄膜的电阻率值范围分别为1011~1012Ω·cm和1012~1013Ω·cm。用Si(100)、ITO导电玻璃两种衬底,CNx薄膜的沉积速率、N含量和电阻率不同,说明衬底的选择对沉积过程和沉积膜的性能有重要影响。
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关 键 词: | 氮化碳薄膜 电化学沉积 二氰二胺 二甲基甲酰胺 XRD XPS FTIR |
文章编号: | 1001-9731(2003)04-0400-03 |
修稿时间: | 2002年7月22日 |
Electrodeposition of carbon nitride films from solutions of dicyandiamide and DMF |
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Abstract: | |
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Keywords: | electrodeposition carbon nitride CN_x films resistivity |
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