| 重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示 |
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| 引用本文： | 方敏,杨德仁,马向阳,阙端麟.重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示[J].材料科学与工程学报,2006,24(2):212-214. |
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| 作者姓名： | 方敏 杨德仁 马向阳 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料科学国家重点实验室,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目
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国家杰出青年科学基金 |
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| 摘 要： | 本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间.此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨.
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| 关 键 词： | 直拉单晶硅 重掺硼 FPD |
| 文章编号： | 1673-2812(2006)02-0212-03 |
| 修稿时间： | 2005年5月10日 |
Delineation of Flow Pattern Defects in Heavily Boron-doped Czochralski Silicon Wafer |
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| FANG Min,YANG De-ren,MA Xiang-yang,QUE Duan-lin.Delineation of Flow Pattern Defects in Heavily Boron-doped Czochralski Silicon Wafer[J].Journal of Materials Science and Engineering,2006,24(2):212-214. |
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| Authors: | FANG Min YANG De-ren MA Xiang-yang QUE Duan-lin |
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| Abstract: | Through a series of experiments performed on the delineation of flow pattern defects(FPDs) in heavily Boron-doped Czochralski(CZ) silicon wafer,a modified Secco Etchant was obtained and the appropriate etching time was defined.Moreover,the mechanism for the delineation of FPDs in CZ silicon wafer was discussed. |
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| Keywords: | Czochralski silicon heavily boron-doped FPD |
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