| 氩等离子体处理增强TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件的电致发光 |
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| 引用本文： | 高志飞,朱辰,马向阳,杨德仁.氩等离子体处理增强TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件的电致发光[J].材料科学与工程学报,2017,35(4). |
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| 作者姓名： | 高志飞 朱辰 马向阳 杨德仁 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，“973”资助项目，教育部创新团队计划资助项目 |
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| 摘 要： | 在我们以前的工作1]中,报道了基于重掺硼硅片(p~+-Si)上掺Er的TiO_2(TiO_2∶Er)薄膜的TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件的电致发光。本文研究了TiO_2∶Er薄膜的氩(Ar)等离子体处理对TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件电致发光的影响。研究发现:Ar等离子体处理使TiO_2∶Er/p~+-Si异质结器件与Er3+离子相关的可见和近红外电致发光都得到了显著的增强,同时也增强了与TiO_2基体中氧空位相关的电致发光。这是由于Ar等离子体处理显著提高了TiO_2∶Er薄膜中的氧空位浓度,不但增强了与氧空位相关的电致发光,而且增强了以氧空位为敏化中心的从TiO_2基体向Er3+离子的能量传递,从而增强了Er3+离子的发光。
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| 关 键 词： | 电致发光 硅基器件 TiO2∶Er薄膜 Ar等离子体处理 |
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