| 脉冲激光沉积法制备Ge-Se-Bi硫系玻璃薄膜的结构 |
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| 引用本文： | 潘瑞琨,臧浩春,林常规,陶海征,赵修建,章天金.脉冲激光沉积法制备Ge-Se-Bi硫系玻璃薄膜的结构[J].材料科学与工程学报,2010,28(5). |
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| 作者姓名： | 潘瑞琨 臧浩春 林常规 陶海征 赵修建 章天金 |
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| 作者单位： | 湖北大学材料科学与工程学院,湖北,武汉,430062;武汉理工大学硅酸盐材料教育部重点实验室,湖北,武汉,430070;武汉理工大学硅酸盐材料教育部重点实验室,湖北,武汉,430070;湖北大学材料科学与工程学院,湖北,武汉,430062 |
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| 基金项目： | supported by the National Natural Science Foundation of China(50972040); the Fund of Morning Programof Wuhan Science and Technology Bureau(200950431161) |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积法制备了(GeSe2)100-x-Bix(x=0~12)硫系玻璃薄膜。测量了薄膜的光学透射谱、吸收谱和拉曼光谱。薄膜的光学短波吸收边对应于电子的间接带间跃迁,并由此计算出其光学带隙。拉曼光谱分析表明Bi含量的增加,减小了玻璃的平均键能,导致光学带隙由1.94 eV减小到1.11 eV。Tauc斜率由486 cm-1/2eV-1/2减小到178 cm-1/2eV-1/2。退火过程中的热漂白效应减小了玻璃的结构无序性,使得薄膜的光学带隙和Tauc斜率相应增大。
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| 关 键 词： | 硫系玻璃薄膜 光学带隙 拉曼光谱 |
Structure of Ge-Se-Bi Films Prepared by Pulsed Laser Deposition |
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| PAN Rui-kun,ZANG Hao-cun,LIN Chang-gui,TAO Hai-zheng,ZHAO Xiu-jian,ZHANG Tian-jin.Structure of Ge-Se-Bi Films Prepared by Pulsed Laser Deposition[J].Journal of Materials Science and Engineering,2010,28(5). |
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| Authors: | PAN Rui-kun ZANG Hao-cun LIN Chang-gui TAO Hai-zheng ZHAO Xiu-jian ZHANG Tian-jin |
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| Affiliation: | PAN Rui-kun~(1,2),ZANG Hao-cun~2,LIN Chang-gui~2,TAO Hai-zheng~2,ZHAO Xiu-jian~2,ZHANG Tian-jin~1(1.School of Materials Science & Engineering,Hubei University,Wuhan 430062,China,2.Key Laboratory of Silicate Materials Science & Engineering,Wuhan University of Technology,Ministry of Education,Wuhan 430070,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chalcogenides films optical Band gap Raman spectra |
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