| 硅基Zn2SiO4:ZnO薄膜的电致发光 |
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| 引用本文： | 张瑞捷,陈培良,马向阳,杨德仁.硅基Zn2SiO4:ZnO薄膜的电致发光[J].材料科学与工程学报,2010,28(4). |
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| 作者姓名： | 张瑞捷 陈培良 马向阳 杨德仁 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 中国博士后科学基金资助项目(20080441223); 浙江省自然科学基金资助项目(R4090055); 973资助项目(2007CB613403); 科技部国际合作资助项目(2008DFR50250) |
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| 摘 要： | 利用溶胶-凝胶法在重掺硼硅片(p-Si)上制备Zn2SiO4∶ZnO(ZnO嵌入Zn2SiO4基体)薄膜,在此基础上,制备了Zn2SiO4∶ZnO薄膜发光器件。实验表征了Zn2SiO4∶ZnO薄膜的晶体结构和形貌,并研究了该器件的载流子输运和电致发光特性。研究表明:器件表现出一定的整流特性;此外,器件在正向偏压(p-Si接正极)下可以产生来自于ZnO的电致发光,而在反向偏压(p-Si接负极)下几乎不发光。通过对上述器件在正向和反向偏压的能带图进行分析,对其载流子输运和电致发光机理进行了解释。
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| 关 键 词： | 电致发光 氧化锌 硅酸锌 硅 |
Electroluminescence from Silicon-based Zn_2SiO_4:ZnO Films |
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| ZHANG Rui-jie,CHEN Pei-liang,MA Xiang-yang,YANG De-ren.Electroluminescence from Silicon-based Zn_2SiO_4:ZnO Films[J].Journal of Materials Science and Engineering,2010,28(4). |
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| Authors: | ZHANG Rui-jie CHEN Pei-liang MA Xiang-yang YANG De-ren |
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| Affiliation: | ZHANG Rui-jie,CHEN Pei-liang,MA Xiang-yang,YANG De-ren(State Key Laboratory of Silicon Materials,Department of Materials Science , Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electroluminescence ZnO Zn_2SiO_4 silicon |
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