| 快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响 |
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| 引用本文： | 马强,杨德仁,马向阳,崔灿.快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响[J].材料科学与工程学报,2006,24(5):691-694. |
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| 作者姓名： | 马强 杨德仁 马向阳 崔灿 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家自然科学基金
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国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD).
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| 关 键 词： | 直拉硅单晶 氧沉淀 快速热处理工艺 CMOS工艺 |
| 文章编号： | 1673-2812(2006)05-0691-04 |
| 修稿时间： | 2005年12月25 |
Effect of Rapid Thermal Processing on Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Subjected to Simulating CMOS Thermal Processing |
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| MA Qiang,YANG De-ren,MA Xiang-yang,CUI Can.Effect of Rapid Thermal Processing on Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Subjected to Simulating CMOS Thermal Processing[J].Journal of Materials Science and Engineering,2006,24(5):691-694. |
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| Authors: | MA Qiang YANG De-ren MA Xiang-yang CUI Can |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Czochralski silicon oxygen precipitates RTP processing of CMOS |
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