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表面稳定铁电液晶器件特性的PSPICE模拟研究
引用本文:潘炜,张晓霞,罗斌,刘永智,吕鸿昌.表面稳定铁电液晶器件特性的PSPICE模拟研究[J].高技术通讯,2002,12(11):73-77.
作者姓名:潘炜  张晓霞  罗斌  刘永智  吕鸿昌
作者单位:1. 西南交通大学计算机与通信工程学院,成都,610031
2. 电子科技大学光电子技术系,成都,610054
基金项目:自然科学基金 (10 1740 5 7),深圳科技开发项目 (2 0 0 1KF),西南交通大学科学研究基金 (2 0 0 1B11)资助项目
摘    要:以铁电液晶(FELC)等效电路模型为基础,通过开发Pspice光合混合系统模块,灵活地调整多种时序脉冲及驱动源波形,优化FELC晶胞厚度,面积,粘滞系数,入射偏振角和自发极化强度等结构参数,成功地实现了FELC开关响应,记忆和存储特性的动态模拟,也为其他光子器件和混合集成系统的EDA仿真研究做了技术铺垫。

关 键 词:表面稳定  铁电液晶器件  PSPICE模拟  电路模型  记忆阈值  临界脉冲面积  显示器件

Simulation Characteristics of Ferroelectric Liquid Crystal by Electronic Model in Pspice
Abstract:
Keywords:Ferroelectric liquid crystal  Circuit model  Memory threshold  Critical pulse area  
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