| 垂直腔面发射激光器的研究开发现状及其应用 |
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| 引用本文： | 王莉,陈弘达,潘钟,黄永箴,吴荣汉.垂直腔面发射激光器的研究开发现状及其应用[J].高技术通讯,2001,11(4):104-108. |
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| 作者姓名： | 王莉 陈弘达 潘钟 黄永箴 吴荣汉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
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| 基金项目： | 863计划资助项目! ( 863 3 0 7 0 0 ) |
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| 摘 要： | 由于人们对超长距离、超高速光纤网络和高性能、低成本光互连网以及光学存储密度不断提出更高的要求，从而诞生了垂直腔面发射激光器（VCSEL）。它具有常规半导体器不可替代的极其优良的性能，因此受到国内外科技界和企业 高度关注，一直蓬勃发展，在短短的12年间，其在结构、材料、波长和应用领域都到迅速发展，部分产品已进入市场，本文尝试对VCSEL的器件性能，开发现状及应用作一简要概述。
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| 关 键 词： | VLSEL 垂直腔面发射激光器 半导体激光器 |
Research and Development and Application of Vertical Cavity Surface Emitting Laser |
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