| 超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析 |
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| 引用本文： | 沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,黄毅文.超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析[J].高技术通讯,2011,21(1):77-82. |
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| 作者姓名： | 沈珮 张万荣 金冬月 谢红云 黄毅文 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与工程控制学院,北京,100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，北京市自然科学基金，国家公派专项研究生奖学金项目 |
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| 摘 要： | 设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带(UWB)SiGe HBT低噪声放大器(LNA).因为摒弃了使用占片面积大的电感,所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本.在新型放大器的反馈支路中,使用了复合分布式电阻和隔直流电容,代替了传统的单一电阻.用这种方式设计的LNA,仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹...
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| 关 键 词： | 低噪声放大器(LNA) SiGe异质结双极晶体管 超宽带(UWB) 阻抗匹配 噪声系数 |
Design and analysis of an ultra-wideband SiGe HBT low noise amplifier |
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| Shen Pei,Zhang Wanrong,Jin Dongyue,Xie Hongyun,Huang Yiwen.Design and analysis of an ultra-wideband SiGe HBT low noise amplifier[J].High Technology Letters,2011,21(1):77-82. |
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| Authors: | Shen Pei Zhang Wanrong Jin Dongyue Xie Hongyun Huang Yiwen |
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