| 半导体微腔激光器瞬态特性的分析 |
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| 引用本文： | 潘炜,张晓霞,罗斌,吕鸿昌,陈建国.半导体微腔激光器瞬态特性的分析[J].光电工程,2001,28(2):39-42. |
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| 作者姓名： | 潘炜 张晓霞 罗斌 吕鸿昌 陈建国 |
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| 作者单位： | 1. 西南交通大学计算机与通信工程学院,
2. 西南交通大学计算机与通信工程学院,四川大学光电科学技术系, |
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| 基金项目： | 铁道部科技发展计划资助项目! (97x2 1) |
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| 摘 要： | 建立了反映半导体微腔激光器特性的模型，借助计算机手段，运用Matlab软件直接给出了半导体微腔激光器瞬态响应的仿真结果及载流子密度和光子密度的相图，分析了自发辐射因子、注入电流和腔长对微腔器的激射阈值、延迟时间、驰豫振荡频率和光输出等参量的影响。该模型及有关结合为半导体微胶激光器的工艺制作，改善的高频调制特性和优化器件提供了理论依据。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 微腔激光器 瞬态特性 |
| 文章编号： | 1003-501X(2001)02-0039-04 |
| 修稿时间： | 2000年5月24日 |
Analysis for the Transient Property of Semiconductor Microcavity Laser |
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| PAN Wei,ZHANG Xiao-xia,LUO Bin L Hong-chang,CHEN Jian-guo.Analysis for the Transient Property of Semiconductor Microcavity Laser[J].Opto-Electronic Engineering,2001,28(2):39-42. |
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| Authors: | PAN Wei ZHANG Xiao-xia LUO Bin L Hong-chang CHEN Jian-guo |
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| Affiliation: | PAN Wei1,ZHANG Xiao-xia1,LUO Bin1 L Hong-chang1,CHEN Jian-guo 1,2 |
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| Abstract: | A model for reflecting the property of semiconductor microcavity laser is set up.The simulation results of the transient response,the phase diagram of carrier density and photon density are directly given by means of computer and Matlab software.The influence of spontaneous emission factor,injection current and microcavity length on lasing threshold,delay time,relaxation oscillation frequency and light output of microcavity laser are analyed.The model and the related conclusion provide the theoretical basis for the manufacturing technology of semiconductor microcavity laser,improvement of high frequency modulation property and optimization of device constitution. |
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| Keywords: | Semiconductor lasers Microcavity lasers Transient response Phase diagrams Spontaneous emission factor |
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