| 应用于体声波谐振器的ZnO薄膜结构和电学特性 |
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| 引用本文： | 汤亮,李俊红,郝震宏,乔东海,汪承灏.应用于体声波谐振器的ZnO薄膜结构和电学特性[J].功能材料与器件学报,2008,14(4). |
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| 作者姓名： | 汤亮 李俊红 郝震宏 乔东海 汪承灏 |
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| 作者单位： | 中国科学院声学研究所,声学微机电实验室,北京,100080 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射的方法制备了ZnO压电薄膜,并在双面抛光的熔融石英基片上制备了高次谐波体声波谐振器.x射线衍射结果显示ZnO压电薄膜C轴择优取向明显,衍射峰半高宽为0.1624°,显示出较好的结晶质量;扫描电镜分析观察到ZnO垂直于基片表面的柱形晶粒结构和较平滑的薄膜表面.体声波器件的电学测试结果显示器件具有很好的多模谐振特性,说明ZnO压电薄膜很好地激发出了厚度方向的纵声波,可应用于体声波器件和声表面波器件中.另外采用间接的方法得到ZnO压电薄膜在870MHz时的介电常数约为5.24,介电损耗因子为1.07,进一步减小介电损耗因子,可以提高器件的Q值.
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| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 压电 磁控溅射 X射线衍射 体声波谐振器 |
Structural and electrical characteristics of ZnO film for application in bulk acoustic wave resonator |
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| TANG Liang,LI Jun-hong,HAO Zhen-hong,QIAO Dong-hai,WANG Cheng-hao.Structural and electrical characteristics of ZnO film for application in bulk acoustic wave resonator[J].Journal of Functional Materials and Devices,2008,14(4). |
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| Authors: | TANG Liang LI Jun-hong HAO Zhen-hong QIAO Dong-hai WANG Cheng-hao |
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