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| SiNx钝化膜厚度对pHEMT的性能影响 | |
| 引用本文： | 李洪芹,夏冠群,孙晓玮.SiNx钝化膜厚度对pHEMT的性能影响[J].功能材料与器件学报,2000,6(3):165-169. |
| 作者姓名： | 李洪芹 夏冠群 孙晓玮 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所,上海200050 |
| 摘 要： | 深入地研究了ＳｉＮｘ钝化膜厚度对ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｐＨＥＭＴ电性能的影响，实验结果表明，ｐＨＥＭＴ器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降；妆膜厚超过２００ｎｍ时，将影响ｐＨＥＭＴ器件电特性。 |
| 关 键 词： | pHYEMT SiNx钝化膜厚度 电性能 晶体管 |
| 修稿时间： | : |
Si3N4 passivation thickness effect on AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT performance |
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| LI Hong-qin,XIA Guan-qun,SUN Xiao-wei.Si3N4 passivation thickness effect on AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT performance[J].Journal of Functional Materials and Devices,2000,6(3):165-169. | |
| Authors: | LI Hong-qin XIA Guan-qun SUN Xiao-wei |
| Abstract: | |
| Keywords: | AlGaAs/InGaAs/GaAs Silicon nitride passivation High Electronics Mobility Transistor (pHEMT) |
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