| 射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文) |
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| 引用本文： | 赵占霞,栗敏,詹颜,王德明,马忠权,孙铁囤.射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文)[J].功能材料与器件学报,2009,15(3). |
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| 作者姓名： | 赵占霞 栗敏 詹颜 王德明 马忠权 孙铁囤 |
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| 作者单位： | [1]上海大学物理系,上海200444 [2]上海交通大学物理系,上海200240 |
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| 基金项目： | Project supported by the fund for selecting outstanding youth teacher of Shanghai Municipal Education Committee,China |
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| 摘 要： | 用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜，衬底温度控制在95％左右，工作气体选用H2＋Ar，氢气的分压控制在31％到70％，同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据，在HQD理论基础上，给出了这种薄膜的能带结构图，并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。
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| 关 键 词： | 纳米硅薄膜 RF溅射I-V曲线 能带模型 |
Band gap model and the I-V characteristic of the nc-Si:H thin films deposited by RF-sputtering |
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| ZHAO Zhan-xia,LI Min,ZHAN Yan,WANG De-ming,MA Zhong-quan,SUN Tie-tun.Band gap model and the I-V characteristic of the nc-Si:H thin films deposited by RF-sputtering[J].Journal of Functional Materials and Devices,2009,15(3). |
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| Authors: | ZHAO Zhan-xia LI Min ZHAN Yan WANG De-ming MA Zhong-quan SUN Tie-tun |
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| Affiliation: | 1.Department of Physics;Shanghai University;Shanghai 200444;China;2.Department of Physics;Shanghai Jiaotong University;Shanghai 200240;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Nano-crystalline silicon thin film RF-sputtering I-V curve band-gap model |
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