| WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET |
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| 引用本文： | 刘伟吉,曾庆明,李献杰,敖金平,赵永林,郭建魁,徐晓春.WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET[J].功能材料与器件学报,2000,6(3):190-192. |
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| 作者姓名： | 刘伟吉 曾庆明 李献杰 敖金平 赵永林 郭建魁 徐晓春 |
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| 作者单位： | 信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051 |
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| 基金项目： | 国防科技预研基金项目资助!(课题号:98J8.4.3) |
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| 摘 要： | 发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850oC下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中，实现了最大跨导约为56mS/mm，阈值电压为3.5V。与p型HFET的－3V的阈值基本对称。反向击穿电压为4～5V。
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| 关 键 词： | WN／W 难熔栅 CHFET HIGFET 场效应晶体管 |
| 修稿时间： | : |
WN/W anisotype- gate self- aligned process for n- channel HFET |
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| LIU Wei-ji,ZENG Qing-ming,LI Xian-jie,AO Jin-ping,ZHAO Yong-lin,GUO Jian-kui,XU Xiao-chun.WN/W anisotype- gate self- aligned process for n- channel HFET[J].Journal of Functional Materials and Devices,2000,6(3):190-192. |
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| Authors: | LIU Wei-ji ZENG Qing-ming LI Xian-jie AO Jin-ping ZHAO Yong-lin GUO Jian-kui XU Xiao-chun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CHFET HIGFET |
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