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| 射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和Ⅰ-Ⅴ特性 | |
| 引用本文： | 赵占霞,栗敏,詹颜,王德明,马忠权,孙铁囤.射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和Ⅰ-Ⅴ特性[J].功能材料与器件学报,2009,15(3). |
| 作者姓名： | 赵占霞 栗敏 詹颜 王德明 马忠权 孙铁囤 |
| 作者单位： | 1. 上海大学物理系,上海,200444 2. 上海交通大学物理系,上海,200240 |
| 摘 要： | 用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究. |
| 关 键 词： | 纳米硅薄膜 RF溅射 Ⅰ-Ⅴ曲线 能带模型 Ⅰ-Ⅴ curve band-gap model |
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