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一种硅埋置型系统级封装中集成毫米波无源器件工艺
引用本文:王华江,汤佳杰,吴亮,罗乐,孙晓玮.一种硅埋置型系统级封装中集成毫米波无源器件工艺[J].功能材料与器件学报,2010,16(3).
作者姓名:王华江  汤佳杰  吴亮  罗乐  孙晓玮
作者单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
摘    要:本文研究了一种基于低阻硅埋置腔体和BCB/Au金属布线的系统级封装技术,改进了介质层BCB在有腔体硅衬底上的第一次旋涂工艺。利用25um厚的BCB介质层,在低阻硅衬底上设计、制作了微带传输线(MSL)、接地共面波导线(CPWG),测试发现具有理想的传输性能:标准50欧姆微带传输线,在20-30GHz频带内插入损耗小于0.08dB/mm,回波损耗大于32dB/mm。在此基础上基于薄膜微带线结构设计、制作了一种应用于K波段雷达前端系统集成功分器,面积约为1.6×0.84mm~2,插入损耗小于0.45dB,端口回波损耗大于25dB。

关 键 词:系统级封装(SIP)  微带传输线  共面波导线  功分器

Process development of millimeter - wave integrated passive devices on Si -based embedded system in package
WANG HUA-jiang,TANG Jia-jie,WU Liang,LUO Le,SUN Xiao-wei.Process development of millimeter - wave integrated passive devices on Si -based embedded system in package[J].Journal of Functional Materials and Devices,2010,16(3).
Authors:WANG HUA-jiang  TANG Jia-jie  WU Liang  LUO Le  SUN Xiao-wei
Abstract:
Keywords:
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