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| 有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装 | |
| 引用本文： | 黄卫东,王旭洪,盛玫,徐立强,Frank Stubhan,罗乐,冯涛,王曦,张富民,邹世昌.有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装[J].功能材料与器件学报,2003,9(2):179-184. |
| 作者姓名： | 黄卫东 王旭洪 盛玫 徐立强 Frank Stubhan 罗乐 冯涛 王曦 张富民 邹世昌 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海新代车辆技术有限公司,上海,200050 2. 上海新代车辆技术有限公司,上海,200050 3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
| 摘 要： | 利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术，采用不同的沉积条件(20—180℃的基板温度范围和10—30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜，研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加，氮化硅薄膜的密度、折射率和Si／N比相应增加，而沉积速率和H含量相应减少；随着射频功率的增加，氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si／N比相应增加，而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃，所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件（OLED)的封装。 |
| 关 键 词： | 有机发光器件 氮化硅薄膜 等离子体化学气相沉积 封装 防水性能 OLED |
| 文章编号： | 1007-4252(2003)02-0179-06 |
| 修稿时间： | 2002年10月15 |
Low temperature deposited PECVD SiNx films applied in OLED packaging |
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| Frank Stubhan.Low temperature deposited PECVD SiNx films applied in OLED packaging[J].Journal of Functional Materials and Devices,2003,9(2):179-184. | |
| Authors: | Frank Stubhan |
| Abstract: | |
| Keywords: | PECVD SiN_x film OLED packaging |
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