| AlGaN/GaNHEMT器件研究 |
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| 引用本文： | 曾庆明,吕长志,刘伟吉,李献杰,赵永林,敖金平,徐晓春.AlGaN/GaNHEMT器件研究[J].功能材料与器件学报,2000,6(3):170-173. |
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| 作者姓名： | 曾庆明 吕长志 刘伟吉 李献杰 赵永林 敖金平 徐晓春 |
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| 作者单位： | 1. 信息产业部电子第十三研究所,石家庄市050051
2. 北京工业大学固态电子学研究所,北京市100022 |
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| 摘 要： | 叙述了ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导￣１５７ｍｓ／ｍｍ，由Ｓ参数测量扒出器件的截止频率ｆｒ和最高振荡频率ｆｍａｘ分别为１２ＧＨｚ和２４ＧＨｚ。
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| 关 键 词： | GaN HEMT AlGaN 制造 研制 截止频率 |
| 修稿时间： | : |
Study on AlGaN/GaN HEMT devices |
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| ZENG Qing-ming,LU Chang-zhi,LIU Wei-ji,LI Xian-jie,ZHAO Yong-lin,AO Jin-ping,XU Xiao-chun.Study on AlGaN/GaN HEMT devices[J].Journal of Functional Materials and Devices,2000,6(3):170-173. |
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| Authors: | ZENG Qing-ming LU Chang-zhi LIU Wei-ji LI Xian-jie ZHAO Yong-lin AO Jin-ping XU Xiao-chun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HEMT |
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