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FeS2/TiO2复合薄膜光电性能
引用本文:张晨宁,胡志强,刘丽红,于仙仙,高岩,金子正治,奥谷昌之.FeS2/TiO2复合薄膜光电性能[J].功能材料与器件学报,2007,13(2):139-144.
作者姓名:张晨宁  胡志强  刘丽红  于仙仙  高岩  金子正治  奥谷昌之
作者单位:1. 大连轻工业学院材料系,大连,116034
2. 静冈大学工学部物资工学科,静冈县滨松市432-8561,日本
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家自然科学基金 , 辽宁省教育厅资助项目
摘    要:采用溶液浸渍法在ITO导电玻璃表面的多孔TiO2薄膜上沉积了FeS2薄膜.使用Fe2O3粉末保护裸露在外的ITO导电膜在硫气氛中热处理后,制得了FeS2/TiO2复合薄膜.应用B531/H数显测厚指示表、数字式四探针测试仪、XJCM-8太阳电池测试仪等研究了FeS2/TiO2复合薄膜的厚度、ITO导电玻璃的电阻率以及FeS2/TiO2复合薄膜的光电性能.结果表明:此方法制得的FeS2/TiO2复合薄膜具有良好的光电性能;且ITO导电膜的电阻率变化较小.因而适宜制备色素增感太阳能电池(DSSC).

关 键 词:溶胶凝胶法  粉末涂敷法  溶液浸渍法  FeS2/TiO2复合薄膜  DSSC电池
文章编号:1007-4252(2007)02-0139-06
修稿时间:2006年4月12日

Photoelectric performance of FeS2/TiO2 composite thin films
ZHANG Chen-ning,HU Zhi-qiang,LIU Li-hong,YU Xian-xian,GAO Yan,Masayuki Okuya,Shoji Kaneko.Photoelectric performance of FeS2/TiO2 composite thin films[J].Journal of Functional Materials and Devices,2007,13(2):139-144.
Authors:ZHANG Chen-ning  HU Zhi-qiang  LIU Li-hong  YU Xian-xian  GAO Yan  Masayuki Okuya  Shoji Kaneko
Abstract:FeS2 thin films were deposited on porous surface of TiO2 on ITO conducting glass by solution dipping method.FeS2/TiO2 composite thin films were obtained by annealing under sulfur atmosphere and by making use of Fe2O3 powder to protect uncovered ITO conducting film.Thickness of FeS2/TiO2 composite thin films,resistance of ITO conducting glass and photoelectric performance of FeS2/TiO2 composite thin films prepared with Different conditions were investigated by XRD,B531/H digital thickness mater,four point resistance probes and XJCM-8.The results indicate that FeS2/TiO2 composite thin films with excellent photoelectric performance can be obtained by this method;resistance of ITO conducting film changes little.Therefore,this kind of film is suitable for preparing dye-sensitized solar cells(DSSC)
Keywords:sol-gel method  powder coating method  solution dipping method  FeS2/TiO2 composite thin films  DSSC
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