| Cr2O3对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏电阻电学特性的影响 |
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| 引用本文： | 臧国忠,王矜奉,陈洪存,苏文斌,王文新,亓鹏,王春明.Cr2O3对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏电阻电学特性的影响[J].功能材料与器件学报,2004,10(1):79-82. |
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| 作者姓名： | 臧国忠 王矜奉 陈洪存 苏文斌 王文新 亓鹏 王春明 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学物理与微电子学院,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50072013) |
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| 摘 要： | 研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响.当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V/mm增加到493V/mm;1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498;晶界势垒高度分析表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因.对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释.掺杂0.15mol% Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24,击穿电压达498V/mm,在高压保护领域有很好的应用前景.
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| 关 键 词： | 压敏电阻 二氧化锡 势垒高度 非线性系数 |
| 文章编号： | 1007-4252(2004)01-0079-04 |
| 修稿时间： | 2003年5月8日 |
Effect of Cr2O3 on the electrical properties of (Co,Ta)-doped SnO2 varistors |
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| ZANG Guo -zhong,WANG Jin -feng,CHEN Hong -cun,SU Wen -bin,WANG Wen -xin,QI Peng,WANG Chun -min.Effect of Cr2O3 on the electrical properties of (Co,Ta)-doped SnO2 varistors[J].Journal of Functional Materials and Devices,2004,10(1):79-82. |
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| Authors: | ZANG Guo -zhong WANG Jin -feng CHEN Hong -cun SU Wen -bin WANG Wen -xin QI Peng WANG Chun -min |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | varistor tin oxide barrier height nonlinear coefficient |
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