| 新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征 |
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| 引用本文： | 章宁琳,宋志棠,沈勤我,林成鲁.新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征[J].功能材料与器件学报,2003,9(1):75-78. |
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| 作者姓名： | 章宁琳 宋志棠 沈勤我 林成鲁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，G20000365， |
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| 摘 要： | 采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.
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| 关 键 词： | 高K栅介质 非晶 ZrO2薄膜 表面粗糙度 |
| 文章编号： | 1007-4252(2003)01-0075-04 |
| 修稿时间： | 2002年5月27日 |
Preparation and characterization of ZrO2 thin films as novel high- K gate dielectrics |
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| ZHANG Ning-lin,SONG Zhi-tang,SHEN Qin-wo,LIN Cheng-lu.Preparation and characterization of ZrO2 thin films as novel high- K gate dielectrics[J].Journal of Functional Materials and Devices,2003,9(1):75-78. |
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| Authors: | ZHANG Ning-lin SONG Zhi-tang SHEN Qin-wo LIN Cheng-lu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-K gate dielectrics amorphous ZrO_2 thin films surface roughness |
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