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氮化碳薄膜的电化学沉积及其电阻率研究
引用本文:李超,曹传宝,吕强,张家涛,项顼,朱鹤孙.氮化碳薄膜的电化学沉积及其电阻率研究[J].功能材料与器件学报,2004,10(1):9-13.
作者姓名:李超  曹传宝  吕强  张家涛  项顼  朱鹤孙
作者单位:1. 北京理工大学材料科学研究中心,北京,100081;郑州轻工业学院化学工程系,郑州,450002
2. 北京理工大学材料科学研究中心,北京,100081
基金项目:国家自然科学基金批准号(No.20171007),教育部博士点基金(No.1999000718)
摘    要:在ITO导电玻璃基底上,采用二氰二胺分散在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中形成的溶液做沉积液,阴极电化学沉积了CNx薄膜。X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶转换红外光谱(FTIR)的分析结果表明,沉积的CNx薄膜的N/C比为0.7左右,碳和氮主要以C-N、C=N的形式成键,有少量的碳和氮以C≡N的形式成键。拉曼光谱测试发现其存在多个吸收峰,对其进行分析的结果表明薄膜样品中含有α-C3N4和β-C3N4相的成分。电阻率测试表明,氮化碳薄膜的电阻率值达到1012~1013Ω·cm。

关 键 词:氮化碳  电化学沉积  电阻率
文章编号:1007-4252(2004)01-0009-05
修稿时间:2003年3月10日

Study on electrodeposition and resistivity of carbon nitride thin films
LI Chao ,CAO Chuan -bao ,LV Qiang ,ZHANG Jia -tao ,XIANG Xu ,ZHU He -sun.Study on electrodeposition and resistivity of carbon nitride thin films[J].Journal of Functional Materials and Devices,2004,10(1):9-13.
Authors:LI Chao    CAO Chuan -bao  LV Qiang  ZHANG Jia -tao  XIANG Xu  ZHU He -sun
Affiliation:LI Chao 1,2,CAO Chuan -bao 1,LV Qiang 1,ZHANG Jia -tao 1,XIANG Xu 1,ZHU He -sun 1
Abstract:
Keywords:carbon nitride  electrodepositio n  resistivity  
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