| GaAs背面通孔刻蚀技术研究 |
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| 引用本文： | 陈震,魏珂,王润梅,刘新宇,刘训春,吴德馨.GaAs背面通孔刻蚀技术研究[J].功能材料与器件学报,2004,10(2):255-258. |
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| 作者姓名： | 陈震 魏珂 王润梅 刘新宇 刘训春 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子所,北京,100029;中国科学院微电子所,北京,100029;中国科学院微电子所,北京,100029;中国科学院微电子所,北京,100029;中国科学院微电子所,北京,100029;中国科学院微电子所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术，并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术，采用CCl2F2／Ar混合气体，对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究。通过优化气压、射频功率、CCl2F2／Ar混合气体组分配比，在CCl2F2流量为200sccm，Ar流量为10sccm，源功率Pa=400W，偏压功率Pb=14W，自偏压Vb=120V，真空度P=43Pa时，得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4．3μm／min)。
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| 关 键 词： | 通孔 感应离子耦合(ICP) 干法刻蚀 |
| 文章编号： | 1007-4252(2004)02-0255-04 |
| 修稿时间： | 2003年8月5日 |
A study on GaAs backside via hole etching technique |
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| CHEN Zhen,WEI Ke,WANG Run-mei,LIU Xin-yu,LIU Xun-chun,WU De-xin.A study on GaAs backside via hole etching technique[J].Journal of Functional Materials and Devices,2004,10(2):255-258. |
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| Authors: | CHEN Zhen WEI Ke WANG Run-mei LIU Xin-yu LIU Xun-chun WU De-xin |
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| Abstract: | Wet chemical etching techniques for etching via holes through GaAs substrates were comparied with an inductively coupled plasma (ICP) dry etching process. The latter was developed to etch via holes through GaAs substrates by using CCl_2F_2/Ar gas mixtures. By optimizing the pressure, RF power, CCl_2F_2/Ar ratio, a smooth via profile and a maximum etching rate (4.3txm/min) are achieved at 43Pa with CCl_2F_2 of 200seem, Ar of 10sccm, source power of 400W, bias power of 14W and self-bias of 120V. |
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| Keywords: | via hole inductively coupled plasma (ICP) dry etching |
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