| HEMT小信号等效电路参数提取 |
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| 引用本文： | 李洪芹,孙晓玮,夏冠群,程知群,王德斌.HEMT小信号等效电路参数提取[J].功能材料与器件学报,2000,6(1):34-42. |
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| 作者姓名： | 李洪芹 孙晓玮 夏冠群 程知群 王德斌 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海冶金研究所,上海,200050
2. 上海交通大学29系,上海200030 |
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| 摘 要： | 本文用ＨＥＭＴ小信号等效电路模型，考虑到ＨＥＭＴ与ＭＥＳＦＥＴ结构上的不同点，肉体分析了ＨＥＭＴ小信号等效电路中串电阻、寄生电感、寄生电容和本征元件参数的提取和这些方法，提取了ＨＥＭＴ器件３２－３９ＧＨＺ八个频率点的Ｓ参数值。实验结果表明，该方法简单有效，具有可操作性。
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| 关 键 词： | HEMT 参数提取 小信号等效电路 晶体管 |
| 文章编号： | 1007－4252(2000)01－0034－ |
| 修稿时间： | : |
PARAMETERS EXTRACTION FOR HEMT SMALL-SIGNAL EQUIVALENT-CIRCUIT |
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| LI Hong-qin,SUN Xiao-wei,XIA Guan-qun,CHENG Zhi-qun.PARAMETERS EXTRACTION FOR HEMT SMALL-SIGNAL EQUIVALENT-CIRCUIT[J].Journal of Functional Materials and Devices,2000,6(1):34-42. |
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| Authors: | LI Hong-qin SUN Xiao-wei XIA Guan-qun CHENG Zhi-qun |
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| Abstract: | A HEMT small-signal equivalent-circuit model is introduced in this paper. Considering the difference between HEMT and MESFET, a method of extracting series-resistance, parasitic inductance, parasitic capacitance and intrinsic element parameters for HEMT small-signal equivalent-circuit is described. Using these methods, the S parameter for HEMT in 32-39GHz range is extracted. Experimental results indicate that this method is simple and feasible. |
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| Keywords: | HEMT Parameter extraction Small-signal equivalent-circuit |
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