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| ITO透明导电薄膜的研究进展 | |
| 引用本文： | 成立顺,孙本双,钟景明,何力军,王东新,陈焕铭.ITO透明导电薄膜的研究进展[J].中国材料进展,2008,27(3). |
| 作者姓名： | 成立顺 孙本双 钟景明 何力军 王东新 陈焕铭 |
| 作者单位： | 1. 宁夏大学,宁夏,银川,750021;西北稀有金属材料研究院,宁夏,石嘴山,753000 2. 西北稀有金属材料研究院,宁夏,石嘴山,753000 3. 宁夏大学,宁夏,银川,750021 |
| 摘 要： | 介绍了ITO薄膜的基本特性和透明导电原理,综述了ITO薄膜主要的制备技术及其研究进展,并指出了不同制备方法的优缺点.还对ITO薄膜晶格常数畸变、载流子浓度上限和最佳掺杂量、红外反射率、光吸收边的移动等基础理论研究进展进行了归纳.今后,还需要在低温或室温ITO薄膜的制备、ITO薄膜的导电机理、纳米尺度ITO材料的特性等方面加强研究. |
| 关 键 词： | 透明导电氧化物 ITO薄膜 制备技术 |
Development of ITO Transparent and Conductive Thin Films |
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| Authors: | Cheng Lishun Sun Benshuang Zhong Jingming He Lijun Wang Dongxin Chen Huanming |
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