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| 在SiO2结构中掺Ge制得一种新的压电单晶 | |
| 引用本文： | 邓志杰.在SiO2结构中掺Ge制得一种新的压电单晶[J].现代材料动态,2010(1):5-6. |
| 作者姓名： | 邓志杰 |
| 摘 要： | 对α-石英类材料的主要兴趣是由于其良好的压电性质，除α-石英本身外，还有一族“通式”为A^ⅢB^VO4的化合物材料（此外A为Al，Ga，Fe，B；B为P和As）可用两个内相关角描述其结构畸变：内四面体跨角A-O-B，θ和四面体倾（斜）角δ。在非畸变四面体中， |
| 关 键 词： | 结构畸变 压电单晶 SiO2 化合物材料 Ge α-石英 四面体 压电性质 |
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