集成电路工艺用过氧化氢中杂质元素的检测方法 |
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引用本文: | 李春华,田玉平,高艳秋.集成电路工艺用过氧化氢中杂质元素的检测方法[J].上海计量测试,2019(4):2-5. |
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作者姓名: | 李春华 田玉平 高艳秋 |
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作者单位: | 上海市计量测试技术研究院 |
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基金项目: | 国家质检总局科技计划项目(2017QK085) |
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摘 要: | 集成电路工艺用过氧化氢经水稀释10倍,采用高分辨电感耦合等离子体质谱仪进行Na和B等杂质检测。采用标准加入法,选择高分辨电感耦合等离子体质谱仪的中分辨模式,有效消除了Fe、P、Ca等的干扰;选择高分辨模式,消除了K、As的干扰。建立的方法有效降低了基质效应、消除了环境干扰,检出限<10ng/L,背景等效浓度<30ng/L,回收率在90.5~103.2之间,重复性的相对标准偏差≤7.2%,再现性的相对标准偏差≤10.2%,满足国际半导体设备材料产业协会对集成电路工艺用过氧化氢的测试要求。
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关 键 词: | 电子级 过氧化氢 高分辨质谱 |
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