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直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜
引用本文:金曾孙,姜志刚,白亦真,吕宪义.直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜[J].新型炭材料,2002,17(2):9-12.
作者姓名:金曾孙  姜志刚  白亦真  吕宪义
作者单位:吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023
基金项目:国家 8 63新材料领域资助项目~~
摘    要:建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃~ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜 ,其厚膜直径为 4 0mm~ 5 0mm ,膜厚为~ 4 .2mm ,生长速率最高达到 2 5 μm/h左右 ,在 5 μm/h~ 10 μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜 ,热导率一般在 10W/K·cm~12W /K·cm。高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板 ,明显地改善了它们的性能

关 键 词:直流热阴极  PCVD法  制备  金刚石厚膜
文章编号:1007-8827(2002)02-0009-04

SYNTHESIS OF DIAMOND THICK FILM BY A HOT-CATHODE DC-PCVD METHOD
JIN Zeng sun,JIANG Zhi gang,BAI Yi zen,LU Xian yi.SYNTHESIS OF DIAMOND THICK FILM BY A HOT-CATHODE DC-PCVD METHOD[J].New Carbon Materials,2002,17(2):9-12.
Authors:JIN Zeng sun  JIANG Zhi gang  BAI Yi zen  LU Xian yi
Abstract:
Keywords:Hot  cathode  PCVD  Diamond thick film
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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