| 铝硅共晶合金的生长—固液界面过冷共晶片间距和生长速度间的关系 |
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| 引用本文： | 刘俊明,周尧和,商宝禄.铝硅共晶合金的生长—固液界面过冷共晶片间距和生长速度间的关系[J].材料科学与工艺,1989(2). |
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| 作者姓名： | 刘俊明 周尧和 商宝禄 |
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| 作者单位： | 西北工业大学，西北工业大学，西北工业大学 |
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| 摘 要： | 本文对铝硅共晶生长过程进行了讨论,在此基础上对Jackson—Hunt公式进行了修正。在生长速度于10 m/s/～200m/s内变化时所提出的修正式同实验结果吻台得很好。对修正公式也进行了讨论。
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| 关 键 词： | 生长 共晶 界面过冷 共晶片间距 铝硅合金 |
Al-Si Entectic Growth--Relations among Under Cooling of Solid Liquid Interface Eutectic Flake Spacing and Growth Rate |
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| Liu Junming Zhou Yaohe Shang Baolu.Al-Si Entectic Growth--Relations among Under Cooling of Solid Liquid Interface Eutectic Flake Spacing and Growth Rate[J].Materials Science and Technology,1989(2). |
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| Authors: | Liu Junming Zhou Yaohe Shang Baolu |
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| Affiliation: | Northwestern Polytechnical University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | growth eutectic interface undercooling eutectic flake spacing aluminium-silicon alloys |
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