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高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长
引用本文:杨培志,廖晶莹,沈炳孚,邵培发,倪海红,方全兴,殷之文.高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长[J].无机材料学报,2002,17(2):210-214.
作者姓名:杨培志  廖晶莹  沈炳孚  邵培发  倪海红  方全兴  殷之文
作者单位:中科院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室,上海,200050
基金项目:国家自然科学基金重点项目(59932002),中国博士后基金
摘    要:用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体,晶体毛坯的尺寸为28min×28mm×360mm;晶体的生长工艺参数为:籽晶取向[001];下降速度 0.6~1.0mm/h;生长界面附近的温度梯度为20~30℃/cm,加工后的晶体成品在420nm附近的透过率>60%;在360nm附近的透过率>25%.晶体的光输出>9p.e/MeV;光伤<5%.

关 键 词:钨酸铅晶体  坩埚下降法  杂质分析  闪烁性能
文章编号:1000-324X(2002)02-0210-05
收稿时间:2001-3-28
修稿时间:2001年3月28日

Growth of High Quality PWO Single Crystal
YANG Pei-Zhi,LIAO Jing-Ying,SHEN Bing-Fu,SHAO Pei-Fa,NI Hal-Hong,FANG Quan-Xing,YIN Zhi-Wen.Growth of High Quality PWO Single Crystal[J].Journal of Inorganic Materials,2002,17(2):210-214.
Authors:YANG Pei-Zhi  LIAO Jing-Ying  SHEN Bing-Fu  SHAO Pei-Fa  NI Hal-Hong  FANG Quan-Xing  YIN Zhi-Wen
Affiliation:LaboratoryofFunctionalInorganicMaterials;ShanghaiInstituteofCeramics;ChineseAcademyofSciences;Shanghai200050;China
Abstract:
Keywords:PWO crystal  modified Bridgman method  impurity analysis  scintillation perfor mance
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