| SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷致密化及脉冲电流耐受特性 |
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| 引用本文： | 卢振亚,黄 欢,吴建青.SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷致密化及脉冲电流耐受特性[J].无机材料学报,2009,24(4):841-844. |
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| 作者姓名： | 卢振亚 黄 欢 吴建青 |
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| 作者单位： | 华南理工大学材料科学与工程学院,广州510640 |
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| 摘 要： | 实验研究了TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响. 研究结果表明, TiO2和Co3O4促进SnO2陶瓷烧结致密化, 根据XRD图谱分析结果, Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相, TiO2则固溶于SnO2晶相;Sb元素的引入能够促进SnO2晶粒的半导化;复合添加Cr2O3、Ni2O3和MnO可以有效提高材料的电压非线性特性和脉冲电流冲击耐受能力. 获得电性能接近实用化的SnO2压敏陶瓷样品, 其压敏电压V1mA约为350V/mm, 非线性系数α达到50, 漏电流小于5μA, 并且在8/20μs脉冲电流冲击试验中,直径14mm的样品能够经受2kA的脉冲峰值电流.
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| 关 键 词： | SnO2压敏电阻 致密化 耐电流冲击特性 |
| 收稿时间： | 2008-12-15 |
| 修稿时间： | 2009-1-20 |
Densification and Surge Current Performance of SnO2-Sb2O3 Based Varistor Ceramics |
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| LU Zhen-Ya,HUANG Huan,WU Jian-Qing.Densification and Surge Current Performance of SnO2-Sb2O3 Based Varistor Ceramics[J].Journal of Inorganic Materials,2009,24(4):841-844. |
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| Authors: | LU Zhen-Ya HUANG Huan WU Jian-Qing |
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| Affiliation: | CollegeofMaterialsScienceandEngineering,SouthChinaUniversityofTechnology,Guangzhou510640,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SnO2 varistor densification withstanding surge current test |
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