| 飞秒脉冲激光沉积Si基a轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜及Ⅰ-Ⅴ特性研究 |
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| 引用本文： | 周幼华,郑启光,杨光,龙华,陆培祥.飞秒脉冲激光沉积Si基a轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜及Ⅰ-Ⅴ特性研究[J].无机材料学报,2006,21(5):1230-1236. |
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| 作者姓名： | 周幼华 郑启光 杨光 龙华 陆培祥 |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉,430074;江汉大学物理与信息工程学院,武汉,430056
2. 华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 湖北省武汉市青年科技晨光计划 |
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| 摘 要： | 采用飞秒脉冲激光沉积系统,在Si(111)衬底上制备了a轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜.X射线衍射(XRD)表明室温(20℃)下沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈c轴择优取向,晶粒的平均直径为20nm.在500℃沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈a轴择优取向.测量了薄膜的电滞回线和Ⅰ-Ⅴ特性曲线,并用分布参数电路研究了Bi4Ti3O12薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性曲线和铁电性的关联性.a轴择优取向Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=15μC/cm2,矫顽力Ec=48kV/cm.
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| 关 键 词： | 飞秒 脉冲激光沉积法(PLD) 钛酸铋 铁电薄膜 |
| 文章编号： | 1000-324X(2006)05-1230-07 |
| 修稿时间： | 2005年10月10 |
a-axis Oriented Bi4Ti3O12 Thin Films Deposited on Si(111) by Femtosecond Laser Ablation and Its Characteristic of Ⅰ-Ⅴ Curve |
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| ZHOU You-Hua,ZHENG Qi-Guang,YANG Guang,LONG Hua,LU Pei-Xiang.a-axis Oriented Bi4Ti3O12 Thin Films Deposited on Si(111) by Femtosecond Laser Ablation and Its Characteristic of Ⅰ-Ⅴ Curve[J].Journal of Inorganic Materials,2006,21(5):1230-1236. |
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| Authors: | ZHOU You-Hua ZHENG Qi-Guang YANG Guang LONG Hua LU Pei-Xiang |
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