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纯CsI晶体发光特性
引用本文:沈定中,邓群,袁湘龙,张黎星,殷之文.纯CsI晶体发光特性[J].无机材料学报,1997,12(3):273-278.
作者姓名:沈定中  邓群  袁湘龙  张黎星  殷之文
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050,中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050,中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050,中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050,中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050
摘    要:测量了用Stockbager方法生长的纯CaI晶体的光学透射,X射线激发的发射谱、1能谱特性和衰减时间特性,该晶体有二个闪烁分量、峰值位圩310nm的发光分量是快分量(〈40ns),450nm处的发光分量是慢分量(-2.4s),慢分量的发光强度不稳定,并受晶体中缺陷I空位的影响较大,文中还给出快、慢发光强度比值91.85.

关 键 词:CsI晶体  晶体缺陷  碘化铯  发光性
收稿时间:1996-3-18
修稿时间:1996-5-4

Luminescent Performances of Pure CsI Crystals
SHEN Dingzhong,DENG Qun,YUAN Xianglong,ZHANG Liring,YIN Zhiwen.Luminescent Performances of Pure CsI Crystals[J].Journal of Inorganic Materials,1997,12(3):273-278.
Authors:SHEN Dingzhong  DENG Qun  YUAN Xianglong  ZHANG Liring  YIN Zhiwen
Affiliation:ShanghaiInstituteofCeramics;ChineseAcademyofSciencesShanghai200050China
Abstract:
Keywords:pure CsI crystal  fast scintillator  crystal defect
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