| 采用碳纳米管制备的碳化硅纳米晶须研究 |
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| 引用本文： | 韩伟强,范守善,李群庆,顾秉林,俞大鹏.采用碳纳米管制备的碳化硅纳米晶须研究[J].无机材料学报,1997,12(6):774-778. |
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| 作者姓名： | 韩伟强 范守善 李群庆 顾秉林 俞大鹏 |
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| 作者单位： | [1]清华大学物理系 [2]北京大学物理系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!59642006 |
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| 摘 要： | 本文报道了采用两步法生长法碳化硅（ＳｉＣ）纳米晶须，首先通过二氧化硅与硅反应生成一氧化硅，然后生成的ＳｉＯ与碳纳米管先驱体反应生成立方结构的β－ＳｉＣ纳米晶须，其直径为３～４０ｎｍ，长度为２～２０μｍ，通过ＸＲＤ，ＨＲＥＭ，Ｒａｍａｎ，ＰＬ等检测手段，对生成的碳化硅纳米晶须的形貌，结构等进行了分析研究，其直径为３～４０ｎｍ长度为２～２０μｍ，并具有峰值位于４３０ｎｍ的蓝光发射带，本文中还对碳化硅钠
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| 关 键 词： | 碳化硅 纳米晶须 碳纳米管 生长机制 晶须 |
| 收稿时间： | 1996-12-10 |
| 修稿时间： | 1997-1-7 |
Study on the Silicon Carbide Nanorods Produced from Carbon Nanotubes |
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| HAN Weiqiang,FAN Shoushan,LI Qunqing,GU Binglim,YU Dapeng.Study on the Silicon Carbide Nanorods Produced from Carbon Nanotubes[J].Journal of Inorganic Materials,1997,12(6):774-778. |
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| Authors: | HAN Weiqiang FAN Shoushan LI Qunqing GU Binglim YU Dapeng |
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| Affiliation: | 1.DeportmentofPhysics;TsinghuaUniversityBeijing100084China;3.DepartmentofPhysics;PekingUniversityBeijing100084China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC nanorods carbon nantotubes growth mechanism |
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