| Ho~(3+)掺杂Ge-Ga-S-CsI玻璃中红外发光性能研究 |
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| 引用本文： | 朱军,戴世勋,彭波,徐铁峰,王训四,章向华.Ho~(3+)掺杂Ge-Ga-S-CsI玻璃中红外发光性能研究[J].无机材料学报,2010,25(5):546-550. |
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| 作者姓名： | 朱军 戴世勋 彭波 徐铁峰 王训四 章向华 |
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| 作者单位： | 1. 宁波大学 信息科学与工程学院, 宁波 315211; 2. 中国科学院 西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 西安 710119; 3. 法国雷恩I大学 玻璃与陶瓷国家实验室, 法国 雷恩 35042 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60878042,60978058); 中国博士后基金(2008043204); 浙江省自然科学基金(Y407253); 中国科学院和宁波大学王宽诚幸福基金 |
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| 摘 要： | 采用熔融冷却法制备了系列不同Ho3+离子掺杂浓度的Ge-Ga-S-CsI玻璃样品,测试了样品的折射率、吸收光谱以及中红外荧光光谱和Ho3+离子5I6能级荧光寿命.应用Judd-Ofelt理论计算了Ho3+离子在该基质玻璃中强度参数Ωi(i=2,4,6)、能级跃迁振子强度fcal、自发跃迁几率Arad等光谱参数.计算了Ho3+:5I5→5I6(3.86μm)和5I6→5I7(2.81μm)跃迁的多声子驰豫速率.讨论了中红外荧光特性与Ho3+离子掺杂浓度之间的关系.结果表明,在900nm激光泵浦下观察到了2.81和3.86μm两处中红外荧光,分别对应于Ho3+:5I6→5I7和5I5→5I6跃迁,当Ho3+离子掺杂浓度从0.5wt%增加到1.0wt%时,两处中红外荧光强度都随相应增加,计算的Ho3+:5I5→5I6和5I6→5I7跃迁多声子驰豫速率分别为29s-1和34s-1.
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| 关 键 词： | 中红外发光 硫系玻璃 钬离子 |
| 收稿时间： | 2009-08-26 |
| 修稿时间： | 2009-10-23 |
Mid-infrared Emission Properties of Ho~(3+)-doped Ge-Ga-S-CsI Glasses |
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| Affiliation: | 1. College of Information Science and Engineering, Ningbo University, Ningbo 315211, China; 2. State Key Laboratory of Transient Optics and Photonics, Xi’an Institute of Optics and Precision Mechanics, Chinese Academy of Science, Xi’an 710119, China; 3. Laboratoire de Verres et Ceramiques, Université de Rennes I, Rennes, France 35042 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | mid-infrared luminescence chalcogenide glass Ho3+-ion |
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