| Si(111)衬底上生长的立方MgxZn1-x晶体薄膜 |
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| 引用本文： | 邱东江,吴惠桢,陈奶波,田维坚.Si(111)衬底上生长的立方MgxZn1-x晶体薄膜[J].无机材料学报,2003,18(6):1385-1388. |
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| 作者姓名： | 邱东江 吴惠桢 陈奶波 田维坚 |
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| 作者单位： | [1]浙江大学物理系，杭州310028 [2]中国科学院西安精密光学机械研究所，西安710068 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(10174064) |
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| 摘 要： | 在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了MgxZn1-xO晶体薄膜。能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构，薄膜的晶面取向依赖于生长温度，在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方MgxZn1-xO薄膜，温度过高时得到多晶薄膜。对高度(200)取向的立方MgxZn1-xO薄膜的光荧光激发谱(PLE)分析表明其光学带隙为4．20eV，相对于MgO的带隙红移量为3．50eV。XRD分析还表明立方MgxZn1-xO薄膜与MgO衬底之间的晶格失配仅为0．16％。这使得高质量立方MgxZn1-xO多量子阱材料的制备成为可能。
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| 关 键 词： | 电子束反应蒸镀 立方MgxZn1-xO薄膜 |
| 文章编号： | 1000-324X(2003)06-1385-04 |
| 收稿时间： | 2002-10-10 |
| 修稿时间： | 2002年10月10 |
Cubic MgxZn1-xO Films Grown on Si (111) |
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| QIU Dong-Jiang,WU Hui-Zhen,CHEN Nai-Bo,TIAN Wei-Jian.Cubic MgxZn1-xO Films Grown on Si (111)[J].Journal of Inorganic Materials,2003,18(6):1385-1388. |
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| Authors: | QIU Dong-Jiang WU Hui-Zhen CHEN Nai-Bo TIAN Wei-Jian |
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| Affiliation: | 1.DepartmentofPhysics;ZhejiangUniversity;Hangzhou310028;China;2.XianInstituteofOpticsandPrecisionMechanics;ChineseAcademyofSciences;Xian710068;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reactive e-beam evaporation cubic MgXZn1-xO film |
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