| 纳米Si/C/N复相粉体的制备及其在不同基体中的微波介电特性 |
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| 引用本文： | 赵东林,周万城.纳米Si/C/N复相粉体的制备及其在不同基体中的微波介电特性[J].无机材料学报,2001,16(5):909-914. |
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| 作者姓名： | 赵东林 周万城 |
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| 作者单位： | 西北工业大学 |
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| 摘 要： | 以六甲基二硅胺烷（（Me3Si)2NH)(Me:CH3)为原料，用双反应室激光气相合成纳米粉体装置制备了纳米Si/C/N复相粉体，研究了纳米Si/C/N复相粉体在不同基体中8.2-12.4GHz的微波介电特性，纳米粉体介电常数的实部（ε′）和虚部（ε″）随频率增大而减小，介电损耗（tgδ＝ε″／ε′）较高，纳米Si/C/N复相粉体中的SiC微晶因溶了大量的N原子，在纳米Si/C/N复相粉体中形成大量的带电缺陷，极化驰是吸收电磁波的主要原因。
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| 关 键 词： | 纳米Si／C／N复相粉体 微波介电常数 微观结构 界面作用 热压烧结 硅 碳 氮 纳米复合材料 |
| 文章编号： | 1000-324(2001)05-0909-06 |
| 收稿时间： | 2000-9-11 |
| 修稿时间： | 2000年9月11日 |
Preparation and Microwave Permittivity of Nano Si/C/N Composite Powders Suspended in Different Matrixes |
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| ZHAO Dong-Lin,ZHOU Wan-Cheng.Preparation and Microwave Permittivity of Nano Si/C/N Composite Powders Suspended in Different Matrixes[J].Journal of Inorganic Materials,2001,16(5):909-914. |
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| Authors: | ZHAO Dong-Lin ZHOU Wan-Cheng |
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| Affiliation: | StateKeyLaboratoryofSolidificationProcessing;NorthwesternPolytechnicalUniversityXian710072;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microwave permittivity nano Si/C/N composite powder microstructure interface effect |
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