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铝/氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究
引用本文:彭榕,周和平,宁晓山,林渊博,徐伟.铝/氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究[J].无机材料学报,2002,17(6):1203-1208.
作者姓名:彭榕  周和平  宁晓山  林渊博  徐伟
作者单位:清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084
摘    要:在675-750℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法将金属纯Al敷接在AlN电子陶瓷基板上,随后利用力学拉伸试验机测试了Al和AlN的结合强度,其界面抗拉强度>15.94MPa,然后使用金相显微镜,SEM等微观分析仪器研究其界面的微观结构,发现在Al/AlN界面没有任何新物质生成,金属铝晶粒直接在AlN陶瓷表面结晶长大。

关 键 词:铝/氮化铝电子陶瓷基板  制备  性能  敷接  结合强度  电子元器件
文章编号:1000-324X(2002)06-1203-06
收稿时间:2001-9-20
修稿时间:2001年9月20日

Performance of Al/AlN Substrate
PENG Rong,ZHOU He-Ping,NING Xiao-Shan,LIN Yuan-Bo,Xu Wei.Performance of Al/AlN Substrate[J].Journal of Inorganic Materials,2002,17(6):1203-1208.
Authors:PENG Rong  ZHOU He-Ping  NING Xiao-Shan  LIN Yuan-Bo  Xu Wei
Affiliation:TheStateKeyLaboratoryofNewCeramicandFineProcessing;DepartmentofMaterialsScienceandEngineering;TsinghuaUniversity;Beijing100084;China
Abstract:In this work, by die-casting-bonding process, in 948-1098K and N2 atmosphere, Al/AlN substrate was produced successfully. The bonding strength of Al and AlN substrate tested by mechanic testing equipment was more than 15.56MPa; The micorstructure of Al/AlN interface was investigated by SEM and microscope. The results show that there is nothing produced in the interface of Al/AlN, the crystal of aluminium grows on the surface of AlN directly, the bonding temperatures have no influence on Al/AlN interface strength.
Keywords:bonding  Al  die-casting-bonding  AlN substrates
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