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高Tc铋层状压电陶瓷结构与性能
引用本文:晏海学,李承恩,周家光,朱为民.高Tc铋层状压电陶瓷结构与性能[J].无机材料学报,2000,15(2):209-220.
作者姓名:晏海学  李承恩  周家光  朱为民
作者单位:晏海学(中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050);李承恩(中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050);周家光(中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050)
摘    要:综述了铋层状压电陶瓷的结构特点及性能研究,铋层状压电陶瓷的(Bi2O2)^2+层和钙钛矿层(Am-1BmO3m+1)^2-按一定规则 排列而成,上A为适合于12配位的离子;B为适合于八面体配位的离子,m为一整数,其值一般为1 ̄5,与钛酸钡(BaTiO3)或锆钛酸铅(PZT)陶瓷相比,铋层状压电陶瓷具有以下特点:低介电常数、高TC、机电耦合系数各向异性明显、低老化率、高电阻率等。

关 键 词:  层状结构  性能  居里点  压电陶瓷  结构
文章编号:CN31-1363(2000)02-0209-12
收稿时间:1999-4-8
修稿时间:1999年4月8日

Structures and Properties of Bismuth Layer-structured Piezoelectric Ceramics with High Tc
YAN Hai-Xue,LI Cheng-En,ZHOU Jia-Guang,ZHU Wei-Min.Structures and Properties of Bismuth Layer-structured Piezoelectric Ceramics with High Tc[J].Journal of Inorganic Materials,2000,15(2):209-220.
Authors:YAN Hai-Xue  LI Cheng-En  ZHOU Jia-Guang  ZHU Wei-Min
Affiliation:ShanghaiInstituteofCeramics;ChineseAcademyofSciences;Shanghai200050;China
Abstract:
Keywords:bismuth layer-structured  properties  curie temperature
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